Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

FDN359BN

ON SEMICONDUCTOR

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

PARAMETRY PRODUKTU

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Informacje podstawowe

ProducentON Semiconductor
EURoHSYes (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive No

Informacje dodatkowe

Crosses 64
Inventory 7
PCNs 30
GIDEP-Alerts 4
MaskPart FDN359BN%
IntroductionDate Feb 13, 2006
SupplierUrl http://www.onsemi.com/PowerSolutions/search.do?query=FDN359BN&tabbed=Y&clearFilters=Y&searchType=others

Parametry

Category Power MOSFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
Material N/A
Maximum Continuous Drain Current (A) 2.7
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 46@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 500
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Number of Elements per Chip 1
Supplier Temperature Grade N/A
Typical Fall Time (ns) 2
Typical Gate Charge @ 10V (nC) N/A
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 5@5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 485@15V
Typical Rise Time (ns) 5
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 20
Typical Turn-On Delay Time (ns) 7

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych