Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

TPS1100Y

TEXAS INSTRUMENTS

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A

PARAMETRY PRODUKTU

Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A

Informacje podstawowe

ProducentTexas Instruments
EURoHSNo (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive No

Informacje dodatkowe

PCNs 39
MaskPart TPS1100Y%
IntroductionDate Dec 01, 1993

Parametry

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 1.6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 180@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 15
Maximum Gate Source Voltage (V) 2
Minimum Operating Temperature (°C) N/A
Number of Elements per Chip 1
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 5.45
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 5.45@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) N/A

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych